A MOSFET-eszköz kiválasztásakor figyelembe kell venni a tényezők minden szempontját, a kicsitől az N-típusú vagy P-típusig, a csomag típusától a nagytól a MOSFET-feszültségig, a bekapcsolt ellenállásig stb., a különböző alkalmazási követelmények eltérőek.A következő cikk összefoglalja a MOSFET eszköz kiválasztását a 3 fő szabályból, úgy gondolom, hogy miután elolvasta, nagyon sok lesz.
1. Tápellátás MOSFET kiválasztása első lépés: P-cső vagy N-cső?
Kétféle teljesítmény-MOSFET létezik: N-csatornás és P-csatornás, a rendszertervezés folyamatában az N-csöves vagy P-csöves kiválasztásához, a ténylegesen kiválasztandó alkalmazáshoz, az N-csatornás MOSFET-ek a modell kiválasztásához, alacsony költségű;P-csatornás MOSFET-ek a modell kiválasztásához kevésbé, magas költségekkel.
Ha a teljesítmény MOSFET S-pólusú csatlakozásánál a feszültség nem a rendszer referenciaföldelése, az N-csatornához lebegő földelésű tápegység-meghajtó, transzformátor-meghajtó vagy bootstrap-meghajtó, meghajtó áramkör-komplexum szükséges;A P-csatorna közvetlenül hajtható, a meghajtás egyszerű.
Figyelembe kell venni az N-csatornás és a P-csatornás alkalmazásokat elsősorban
a.Notebook számítógépek, asztali számítógépek és szerverek, amelyek a processzor és a rendszer hűtőventilátorának, nyomtató-adagoló rendszerének motoros meghajtásához, porszívókhoz, légtisztítókhoz, elektromos ventilátorokhoz és egyéb háztartási gépekhez használt motorvezérlő áramkört biztosítják, ezek a rendszerek teljes áthidaló áramköri struktúrát használnak, mindegyik hídkar a csövön használható P-cső, N-cső is használható.
b.Kommunikációs rendszer 48V-os bemeneti rendszer hot-plug MOSFET-ek a csúcson elhelyezve, használható P-csövek, N-csövek is használhatók.
c.Notebook számítógép bemeneti áramkör sorba kapcsolva, szerepet játszik a visszafordítás elleni kapcsolat és a terhelés kapcsolása két back-to-back teljesítmény MOSFET, használata N-csatornás kell, hogy ellenőrizzék a chip belső integrált meghajtó töltőszivattyú, használata P-csatorna közvetlenül vezethető.
2. A csomag típusának kiválasztása
Power MOSFET csatorna típusát, hogy meghatározzák a második lépésben, hogy meghatározzák a csomagot, csomag kiválasztásának elveit.
a.A hőmérséklet-emelkedés és a termikus kialakítás a legalapvetőbb követelmény a csomag kiválasztásánál
A különböző méretű csomagolások eltérő hőellenállással és teljesítménydisszipációval rendelkeznek, ezen felül figyelembe kell venni a rendszer termikus viszonyait és a környezeti hőmérsékletet, mint például a léghűtés, a hűtőborda alak- és méretkorlátozása, a környezet zártsága és egyéb tényezők, az alapelv a teljesítmény MOSFET hőmérséklet-emelkedésének és a rendszer hatékonyságának biztosítása, a paraméterek kiválasztásának előfeltétele és az általánosabb teljesítmény MOSFET.
Néha más körülmények miatt több MOSFET párhuzamos használatának szükségessége a hőelvezetési probléma megoldása érdekében, például PFC alkalmazásokban, elektromos járművek motorvezérlőiben, kommunikációs rendszerekben, például a modul tápegység másodlagos szinkron egyenirányító alkalmazásaiban. párhuzamos több csővel.
Ha a többcsöves párhuzamos csatlakozás nem használható, a jobb teljesítményű MOSFET kiválasztása mellett nagyobb méretű vagy új típusú csomag is használható, például egyes AC/DC tápegységekben a TO220 módosítani kell a TO247 csomagra;egyes kommunikációs rendszerek tápegységeiben az új DFN8*8 csomagot használják.
b.A rendszer méretkorlátozása
Egyes elektronikus rendszereket korlátozza a NYÁK mérete és a belső magassága, például a kommunikációs rendszerek modulos tápegysége a korlátozások magassága miatt általában DFN5 * 6, DFN3 * 3 csomagot használ;Néhány ACDC tápegység használata ultra-vékony kialakítás vagy korlátai miatt a héj, szerelvény TO220 csomag teljesítmény MOSFET csapok közvetlenül a gyökér, a magassága a korlátozások nem használható TO247 csomagot.
Néhány ultravékony kialakítás közvetlenül hajlítsa meg a készülék csapjait, ez a tervezési gyártási folyamat bonyolulttá válik.
A nagy kapacitású lítium akkumulátor védőlemezek tervezésénél a rendkívül szigorú méretkorlátozások miatt a legtöbben ma már chip-szintű CSP csomagot használnak, hogy a lehető legnagyobb mértékben javítsák a hőteljesítményt, miközben biztosítják a legkisebb méretet.
c.Költségkontroll
A korai sok elektronikai rendszer plug-in csomagot használ, ezekben az években a megnövekedett munkaerőköltségek miatt sok cég kezdett átállni az SMD csomagra, bár az SMD hegesztési költsége magasabb volt, mint a plug-in, de az SMD hegesztés magas fokú automatizáltsága, a az összköltség továbbra is ésszerű tartományban szabályozható.Egyes alkalmazásokban, mint például az asztali alaplapok és a rendkívül költségérzékeny kártyák, általában a DPAK-csomagokban található teljesítmény-MOSFET-eket használják a csomag alacsony költsége miatt.
Ezért a választás a hatalom MOSFET csomagot, hogy összekapcsolják a saját cég stílusát és a termék jellemzőit, figyelembe véve a fenti tényezőket.
3. Válassza ki az RDSON bekapcsolt állapotú ellenállást, megjegyzés: nem áram
Sokszor aggódnak a mérnökök az RDSON miatt, mert az RDSON és a vezetési veszteség közvetlenül összefügg, minél kisebb az RDSON, minél kisebb a teljesítmény MOSFET vezetési vesztesége, minél nagyobb a hatásfok, annál kisebb a hőmérséklet emelkedés.
Hasonlóképpen, a mérnökök, amennyire csak lehetséges, kövessék az előző projektet vagy a meglévő komponenseket az anyagkönyvtárban, mert a valódi kiválasztási módszer RDSON-jának nem kell sokat figyelembe vennie.Ha a kiválasztott teljesítmény hőmérséklet-emelkedése túl alacsony, a MOSFET költség okokból átvált RDSON nagyobb alkatrészekre;ha a teljesítmény MOSFET hőmérséklet-emelkedése túl magas, a rendszer hatékonysága alacsony, átvált RDSON kisebb alkatrészekre, vagy a külső meghajtó áramkör optimalizálásával javítja a hőleadás beállítását stb.
Ha ez egy teljesen új projekt, nincs korábbi projekt, amit követni kellene, akkor hogyan kell kiválasztani a MOSFET RDSON teljesítményét? Íme egy módszer, amelyet be kell mutatni: energiafogyasztás elosztási módszer.
Az áramellátó rendszer tervezésekor az ismert feltételek: bemeneti feszültség tartomány, kimeneti feszültség / kimeneti áram, hatásfok, működési frekvencia, hajtási feszültség, természetesen vannak más műszaki mutatók és teljesítmény MOSFET-ek, amelyek elsősorban ezekhez a paraméterekhez kapcsolódnak.A lépések a következők.
a.A bemeneti feszültség tartomány, a kimeneti feszültség / kimeneti áram, a hatásfok szerint számítsa ki a rendszer maximális veszteségét.
b.Tápáramköri téves veszteségek, nem teljesítményáramkör-komponensek statikus veszteségei, IC statikus veszteségek és hajtásveszteségek, durva becsléshez a tapasztalati érték a teljes veszteség 10-15%-át teheti ki.
Ha az áramkör árammintavevő ellenállással rendelkezik, számítsa ki az árammintavevő ellenállás teljesítményfelvételét.A teljes veszteség mínusz a fenti veszteségek, a fennmaradó rész a tápegység, a transzformátor vagy az induktor teljesítményvesztesége.
A fennmaradó teljesítményveszteség bizonyos arányban a tápegységhez és a transzformátorhoz vagy induktorhoz kerül hozzárendelésre, és ha nem biztos benne, akkor az alkatrészszám szerinti átlagos eloszlást úgy, hogy megkapja az egyes MOSFET-ek teljesítményveszteségét.
c.A MOSFET teljesítményvesztesége meghatározott arányban a kapcsolási veszteséghez és a vezetési veszteséghez van hozzárendelve, ha pedig bizonytalan, a kapcsolási veszteség és a vezetési veszteség egyenlő arányban kerül felosztásra.
d.A MOSFET vezetési veszteség és az átfolyó RMS áram alapján számítsa ki a megengedett legnagyobb vezetési ellenállást, ez az ellenállás a MOSFET az RDSON maximális üzemi csatlakozási hőmérsékleten.
Az RDSON teljesítményű MOSFET adatlapja meghatározott vizsgálati feltételekkel jelölt, különböző meghatározott körülmények között eltérő értékekkel rendelkezik, a vizsgálati hőmérséklet: TJ = 25 ℃, az RDSON pozitív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik, így a MOSFET legmagasabb üzemi csomóponti hőmérséklete szerint ill. RDSON hőmérsékleti együttható, a fenti RDSON számított értékből, hogy megkapjuk a megfelelő RDSON-t 25 ℃ hőmérsékleten.
e.RDSON 25 ℃-tól a megfelelő típusú MOSFET teljesítmény kiválasztásához, a MOSFET RDSON aktuális paraméterei szerint, lefelé vagy felfelé.
A fenti lépéseken keresztül a teljesítmény MOSFET modell és az RDSON paraméterek előzetes kiválasztása.
Ez a cikk a hálózatból származik, kérjük, forduljon hozzánk a jogsértés törléséhez, köszönjük!
A Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. 2010 óta gyárt és exportál különféle kisméretű kiszedő- és behelyezőgépeket. Kihasználva saját, gazdag tapasztalattal rendelkező kutatás-fejlesztésünket, jól képzett gyártásunkat, a NeoDen nagy hírnevet szerez a világ vásárlói körében.
A több mint 130 országban jelenlévő NeoDen PNP gépek kiváló teljesítménye, nagy pontossága és megbízhatósága miatt tökéletesek a kutatás-fejlesztéshez, a professzionális prototípus-készítéshez és a kis- és közepes sorozatú gyártáshoz.Professzionális megoldást kínálunk az egyablakos SMT berendezésekhez.
Hozzáadás: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Zhejiang tartomány, Kína
Telefon: 86-571-26266266
Feladás időpontja: 2022.04.19